Ученые из Новосибирского государственного университета (НГУ) разрабатывают перспективные материалы на основе германо-силикатных стекол для создания элементов памяти нового поколения. Об этом сегодня, 18 марта, сообщили в пресс-службе НГУ.
Исследователи изучают механизм переноса заряда в структурах «металл-диэлектрик-проводник», используя смесь оксида кремния и оксида германия. Оксид кремния – один из самых распространенных диэлектриков, используемых в микроэлектронике, а новосибирские ученые первыми в мире решили объединить его свойства с оксидом германия.
«Наша научная группа занимается исследованием германо-силикатных стекол уже более пяти лет. Тогда мы первыми в мире обнаружили в них мемристорный эффект, иначе говоря, эффект переключения памяти», — пояснил доктор физико-математических наук Владимир Володин.
В ходе экспериментов ученые создали специальные структуры с тонким слоем германо-силикатного стекла и исследовали их опто-электрические свойства в диапазоне температур от комнатной до 102 градусов Цельсия, что соответствует рабочим температурам мемристоров.
Используя модель «Ток, ограниченный пространственным зарядом» (ТОПЗ), исследователи научились прогнозировать параметры будущих устройств памяти.
«Мы можем с помощью ТОПЗ теоретически предугадать параметры будущего мемристора как одного из новых типов памяти», — рассказал аспирант Института физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН Иван Юшков.
Практическая значимость разработки заключается в создании элементов памяти, которые превосходят привычные флешки по количеству циклов перезаписи, долговечности, эффективности и надежности. Эти новые материалы могут стать основой для «памяти будущего».
Ранее мы сообщили, что новосибирские ученые помогут малым городам решить проблему высокой стоимости отопления.
Глеб Хаистов
